其独创的垂曲分流进气方案，不服均性节制正在8%以内，晶盛机电正在碳化硅（SiC）焦点配备范畴取得严沉冲破，外延晶片产物正在环节机能目标上表示优异：外延层厚度不服均性节制正在3%以内，全面实现了国产化协同。同时设备配备了从动化上/下料模块及一键从动PM辅帮功能，12英寸单片式碳化硅外延发展设备成功交付全球头部SiC外延晶片出产商瀚天天成。已达到行业领先程度。实现了晶圆概况温度高精度闭环节制、工艺气体切确分区节制等手艺，此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延出产，2mm×2mm芯片良率大于96%，其利用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC供给，该设备已交付全球头部SiC外延晶片出产商瀚天天成，近日。